[发明专利]非挥发性半导体储存装置及其读取方法有效
| 申请号： | 201810471547.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109102835B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 柳弼相;何文乔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种能够消除位元线泄漏对读取的影响的非挥发性半导体储存装置及其读取方法。所述非挥发性半导体储存装置包括：存储器阵列；半导体井，具有多个抹除单元；以及源极开关阵列，具有多个源极开关。所述源极开关中的每一个耦接到所述半导体井的一个抹除单元的共用源极线。在读取操作期间，所述源极开关中只有耦接到所述半导体井的所述抹除单元中用于进行读取的被选择抹除单元的一个源极开关被致能。因此，防止位元线泄漏影响对存储器阵列的存储器晶胞的读取操作，从而提高非挥发性半导体储存装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 储存 装置 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性半导体储存装置，其特征在于，包括：存储器阵列，包括多个存储器晶胞；半导体井，包括多个抹除单元，其中所述半导体井的所述抹除单元中的每一个包括共享共用源极线的多个存储器晶胞；以及源极开关阵列，包括多个源极开关，耦接到所述半导体井的所述抹除单元，其中所述源极开关中的每一个耦接到所述半导体井的一个抹除单元的所述共用源极线，其中在读取操作期间，所述源极开关中耦接到所述半导体井的所述抹除单元中用于进行读取的被选择抹除单元的一个源极开关被致能。
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