[发明专利]一种基于NMOS管H桥的铁氧体移相与开关器件驱动电路在审

专利信息
申请号: 201810472577.0 申请日: 2018-05-17
公开(公告)号: CN108667280A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 刘颖力;王浩先;张怀武;王雨;殷齐声;祁炳豪;周磊 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种基于NMOS管H桥的铁氧体移相与开关器件驱动电路,包括控制端电源模块、NMOS管H桥驱动模块和NMOS管H桥模块,NMOS管H桥模块包括N个NMOS管H桥,一个NMOS管H桥包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,第一NMOS管和第二NMOS管的漏极均连接电源电压,其源极分别连接第三NMOS管和第四NMOS管的漏极并作为NMOS管H桥的两个输出端连接负载,第三NMOS管和第四NMOS管的源极连接模拟地电位;NMOS管H桥驱动模块包括分别用于驱动N个NMOS管H桥的N个NMOS管H桥驱动器,每个NMOS管H桥驱动器均由控制端电源模块供电,其控制端分别连接各自的控制信号,输出端均输出四个驱动信号分别连接该NMOS管H桥驱动器对应驱动的NMOS管H桥中第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的栅极。
搜索关键词: 控制端 电源模块 开关器件 驱动电路 铁氧体 漏极 电位 输出端连接 控制信号 连接电源 驱动信号 源极连接 模拟地 输出端 驱动 源极 供电 输出
【主权项】:
1.一种基于NMOS管H桥的铁氧体移相与开关器件驱动电路,包括控制端电源模块、NMOS管H桥驱动模块和NMOS管H桥模块,其特征在于,所述NMOS管H桥模块包括N个NMOS管H桥,其中N为正整数;所述NMOS管H桥包括第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4),第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2)的漏极均连接电源电压(VCC),其源极分别连接第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)的漏极并作为所述NMOS管H桥的两个输出端连接负载,第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)的源极连接模拟地电位(AGND);所述NMOS管H桥驱动模块包括分别用于驱动所述N个NMOS管H桥的N个NMOS管H桥驱动器,每个所述NMOS管H桥驱动器均由所述控制端电源模块供电,其控制端分别连接各自的控制信号,输出端均输出四个驱动信号,所述四个驱动信号分别连接该NMOS管H桥驱动器对应驱动的所述NMOS管H桥中第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)的栅极。
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