[发明专利]萧特基二极管有效
| 申请号： | 201810473287.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110504326B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杨承桦;林克峰;李明宗;黄世腾;王智充;李秋德;林淑雯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 萧特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种萧特基二极管，其特征在于，包含有：/n萧特基接面，包含第一阱位于一基底中，以及第一电极接触该第一阱；/n欧姆接面，包含接面区域位于该第一阱中，以及第二电极接触该接面区域；/n第一绝缘结构，设置于该基底中且将该萧特基接面及该欧姆接面隔离；以及/n多个掺杂区，位于该第一阱中以及该萧特基接面下方，其中该些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。/n
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