[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构

摘要

本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，涉及碳化硅功率模块封装技术领域，包括碳化硅功率器件和连接各碳化硅功率器件的排线组，还包括隔离衬板，碳化硅功率器件穿设在隔离衬板上，且每两个碳化硅功率器件为一组，每组两碳化硅功率器件的接线通道相对设置，隔离板外设有扣合碳化硅功率器件的壳体，壳体包括分别设于隔离板两侧的上壳体和下壳体。本发明通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使并联的碳化硅功率器件整体更稳定，机械强度更高。

主权项

1.一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，包括碳化硅功率器件（1）和连接各所述碳化硅功率器件（1）的排线组（4），其特征在于：还包括隔离衬板（2），所述碳化硅功率器件（1）穿设在所述隔离衬板（2）上，且每两个所述碳化硅功率器件（1）为一组，每组两所述碳化硅功率器件（1）的接线通道（17）相对设置，所述隔离板（2）外设有扣合所述碳化硅功率器件（1）的壳体（3），所述壳体（3）包括分别设于所述隔离板（2）两侧的上壳体（31）和下壳体（32）。