[发明专利]一种复合空穴传输/电子阻挡层及其OLED器件在审
申请号: | 201810477273.3 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN110504374A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 李崇;张兆超;唐丹丹 | 申请(专利权)人: | 江苏三月光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 姬颖敏;聂启新<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 214112 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种复合空穴传输/电子阻挡层及其有机电致发光器件,由下至上依次包括基板、第一电极、有机功能材料层和第二电极,有机功能材料层包括:空穴传输区域,位于第一电极之上;发光层,位于空穴传输区域之上,其包括主体和客体材料;电子传输区域,位于发光层之上;其中空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输/电子阻挡层,所述空穴传输/电子阻挡层包括第一和第二有机材料,其中第一有机材料的HOMO能级为‑5.2eV至‑5.7eV,第二有机材料的为‑5.5eV至‑6.0eV,并且︱HOMO第一有机材料︱<︱HOMO第二有机材料︱。 | ||
搜索关键词: | 有机材料 空穴传输区域 电子阻挡层 空穴传输 有机功能材料层 第一电极 发光层 有机电致发光器件 电子传输区域 空穴注入层 主体和客体 第二电极 基板 复合 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光器件,其由下至上依次设置有基板、第一电极、有机功能材料层和第二电极,所述有机功能材料层包括:/n空穴传输区域,位于所述第一电极之上;/n发光层,位于所述空穴传输区域之上,其包括主体材料和客体材料;/n电子传输区域,位于所述发光层之上;/n其特征在于,所述空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输/电子阻挡层,/n所述空穴传输/电子阻挡层包括第一和第二有机材料,其中第一和第二有机材料各自独立地选自通式(1)、通式(2)或通式(3)中任一者:/n /n其中,在通式(1)中,/nX、X1各自独立地选自单键、碳原子、N-(R5)、硫原子、氧原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基中的一种;/n如果存在R5,则其可相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;/nZ代表氮原子或C-R6,其中R6可相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代,其中两个或更多个R6基团可彼此连接并且可形成环结构;/nAr1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地代表单键、直链或支链的C1-20亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代,其中Ar1、Ar2基团还可直接连接成环或通过C、O、S、N连接成环;/nm、n、p、q、s和t等于0或1;且m+n+p+q≥1且m+n+s+t≥1;/nR1、R2、R3和R4各自独立地代表氢原子、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示的结构,条件是R1、R2、R3和R4不同时为氢原子;/n /n其中,在通式(4)和通式(5)中,/nX2、X3各自独立地代表单键、氧原子、硫原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基、C1-20烷基取代的亚胺基、C6-20芳基取代的亚胺基、C5-20杂芳基取代的亚胺基中的一种;/nY1可相同或不同地代表N原子或C-R7,其中R7可相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链C1-20烷基取代的烷基、直链或支链C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;其中两个或更多个R7基团可彼此连接并且可形成环结构;/nR8、R9各自独立地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基、通式(7)或通式(6)所示结构;其中在芳基和杂芳基的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;/n /n其中,在通式(7)中,/nY2可相同或不同地代表N原子或C-R14,其中,R14可相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;其中两个或更多个R12基团可彼此连接并且可形成环结构;/nX4、X5各自独立地代表单键、氧原子、硫原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基、C1-20烷基取代的亚胺基、C6-20芳基取代的亚胺基、C5-20杂芳基取代的亚胺基中的一种;/n通式(7)通过并环方式和通式(4)或通式(5)相连,*表示为连接位点,相连时,只能取相邻的两个位点,通式(7)和通式(4)或通式(5)并环连接时,连接位点Y1表示为碳原子;/n在通式(8)中,/nR12、R13各自独立地代表具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;R12、R13还可连接成环;/n在通式(2)中,/nL1、L2、L3各自独立地代表单键、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;L1、L2、L3可两两彼此连接并且可形成环结构;/nAr5、Ar6、Ar7各自独立地代表具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基、5至30个碳原子的亚胺基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;Ar5、Ar6、Ar7可两两彼此连接并且可形成环结构;/nAr5、Ar6、Ar7还可以表示为通式(4)、通式(5)、通式(6)中的一个,其中所述通式上的基团X2、X3、Y1、R8、R9、R10、R11和*具有如上所述的含义;/n在通式(3)中,/nD1、D2、D3各自独立地代表单键、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;D1、D2、D3可两两彼此连接并且可形成环结构;/nAr8、Ar9、Ar10各自独立地代表氢原子、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基、5至30个碳原子的亚胺基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;Ar8、Ar9、Ar10可两两彼此连接并且可形成环结构;/nAr8、Ar9、Ar10中至少一个为通式(4)、通式(5)、通式(6)中的一个;其中所述通式上的基团X2、X3、Y1、R8、R9、R10、R11和*各自具有如上所述的含义。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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