[发明专利]硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法在审
| 申请号： | 201810477302.6 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108615682A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 崔伟;杨永晖;李文;张霞;朱坤峰;黄东;钱呈;谭开洲;梁柳洪;汪璐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/027 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法，包括：在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe HBT晶体管。上述发明通过在第二多晶硅层上增加一层抗反射材料层，减小基区窗口底部和发射极周边台阶侧壁对多晶发射极光刻的反射，从而改善多晶发射极的形貌。同时该抗反射材料层还可以作为第三多晶硅层刻蚀时的停止层，可精确控制第二多晶硅层刻蚀，避免在后续刻蚀中损伤SiGe HBT的外基区材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极 多晶硅层 晶体管 多晶 刻蚀 硅锗异质结双极晶体管 抗反射材料层 衬底 形貌 晶体管基区 衬底表面 硅片表面 基区窗口 周边台阶 材料层 侧壁对 发射区 停止层 外基区 减小 反射 制作 损伤 发射 | ||
【主权项】：
1.一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法，包括：在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe HBT晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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