[发明专利]一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构

摘要

本发明公开了一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底，所述硅片衬底背面设置有叠层背面钝化膜，所述叠层背面钝化膜上间隔设置有背面电极主栅区；在所述叠层背面钝化膜上非背面电极主栅区通过500‑1200nm波段的激光束进行激光开槽形成重复点群组结构单元，所述重复点群组结构单元由2‑18个圆孔状激光光斑重叠3％‑17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元的中心点间隔0.2‑1.0mm。本发明的激光开槽导电结构，可以将背部传导平面分割为更小导电结构单元的方式，缩短了光生电流传导路径，提升了载流子的传输收集能力，同时可以降低激光开槽对电池硅片衬底造成的晶格破坏和复合损伤，提升单多晶硅背面钝化局域背接触太阳电池的光电转换效率和组件可靠性。

主权项

1.一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构，包括硅片衬底(1)，其特征在于：所述硅片衬底(1)背面设置有叠层背面钝化膜(2)，所述叠层背面钝化膜(2)上间隔设置有背面电极主栅区(3)；在所述叠层背面钝化膜(2)上非背面电极主栅区(3)通过500‑1200nm波段的激光束进行激光开槽形成重复点群组结构单元(4)，所述重复点群组结构单元(4)由2‑18个圆孔状激光光斑(5)重叠3％‑17％圆面积区域构成，所述重复点群组结构单元(4)的中心点间隔0.2‑1.0mm。