[发明专利]一种氮化铝晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201810477594.3 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111647945A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;程章勇;杨丽雯 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种采用高纯半绝缘碳化硅衬底生长氮化铝晶体的方法，不单为目前氮化铝晶体生长亟待需求的模板衬底提供解决思路，且有效降低因异质衬底而导致的氮化铝晶体中异类原子的增多。该方法主要有高纯半绝缘碳化硅衬底粘结、高质量氮化铝晶体生长、异质衬底的剥离三个环节。高纯半绝缘碳化硅衬底粘结主要是将碳化硅衬底固定在籽晶托上，高质量氮化铝晶体生长主要是以高纯半绝缘碳化硅为模板进行高温生长氮化铝，异质衬底的剥离则主要是将原母体碳化硅剥离掉。基于高纯半绝缘碳化硅衬底的优良特性，对提高氮化铝的晶体质量有显著作用，使氮化铝晶体的光透过率提高10%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华进创威电子有限公司，未经北京华进创威电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810477594.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机缸体装配线
- 下一篇：数据处理方法、装置、电子设备及存储介质
