[发明专利]光敏器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种光敏器件及其制作方法，涉及光电技术领域，所述光敏器件包括APD及光学耦合器，APD包括衬底层及依次设置的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层，在N型掺杂层、APD台面外周设置填充钝化层，光学耦合器设置于器件的顶部，用于光耦合汇聚和改变光传输方向。光学耦合器与P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域，将光学耦合器的光入射面与雪崩光电二极管在水平方向上分离，利用光学耦合器的光耦合汇聚特性，可以在保证整个器件光量子效率基本不变的条件下，通过大幅的降低雪崩光电二极管APD的尺寸和减小吸收层的厚度，以提升光敏器件的工作速率和带宽，降低器件的暗电流与功耗，提升器件的灵敏度。

主权项

1.一种光敏器件，其特征在于，所述光敏器件包括雪崩光电二极管及光学耦合器，所述雪崩光电二极管包括衬底层及依次设置于衬底层上的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层，所述倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层依次设置于所述N型掺杂层远离衬底层的表面的预设区域，所述N型掺杂层上设置有填充钝化层以将形成台面的倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层的四周包覆，所述光学耦合器设置于所述填充钝化层上，所述光学耦合器与所述P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域，所述P型掺杂层的表面与所述光学耦合器不接触的区域设置有第一钝化层，所述N型掺杂层未设置填充钝化层的表面设置有第二钝化层。