[发明专利]CMOS图像传感器三维集成方法在审
| 申请号： | 201810478676.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108666335A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张卫;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种CMOS图像传感器三维集成方法。本发明方法包括：提供制备在全耗尽的SOI晶片上的CMOS图像传感器芯片；形成第一金属互连布线层和钝化层；在所述第一金属互连线上形成嵌入式电极；切割所述CMOS图像传感器芯片，并进行表面等离子体激活处理；以及使两块所述CMOS图像传感器芯片的嵌入式电极相互对应完成键合。本发明利用嵌入式电极将绝缘体上硅层直接结合，不需占用额外的空间，得到高密度堆叠的三维COMS图像传感器。本发明适用于高密度集成。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式电极 三维集成 三维COMS图像传感器 半导体技术领域 表面等离子体 高密度堆叠 高密度集成 金属互连线 绝缘体上硅 激活处理 金属互连 直接结合 布线层 钝化层 键合 制备 耗尽 切割 占用 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器三维集成方法，其特征在于，具体步骤为：提供制备在全耗尽的SOI晶片上的CMOS图像传感器芯片；形成第一金属互连布线层和钝化层；在所述第一金属互连线上形成嵌入式电极；切割所述CMOS图像传感器芯片并进行表面等离子体激活处理；以及使两块所述CMOS图像传感器芯片的嵌入式电极相互对应完成键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
