[发明专利]高通量CVD装置及其沉积方法在审
| 申请号： | 201810479661.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108411282A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 邬苏东;汪晓平;杨熹;叶继春;张欢;项晓东;盛江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波英飞迈材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高通量CVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台；气体导入装置，与沉积表面之间可围成多个独立的沉积微区，气体导入装置上形成有多个独立的反应气体进入通道，每个反应气体进入通道分别连通于一个所述沉积微区，每个沉积微区分别具有反应气体出口。本发明还公开了一种高通量CVD沉积方法，包括：在沉积区域的第一方向上形成阵列分布的多个独立的沉积微区，每个沉积微区可独立通入不同的反应气体；在沉积区域的第二方向上形成不同的温度分布，第一方向垂直于第二方向。本发明通过一次实验可以实现不同气氛、连续温度变化和不同衬底材料的组合工艺条件的研究，大大加快试验效率，加快新材料和工艺的开发和筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 微区 反应气体 高通量 气体导入装置 沉积区域 反应气体出口 衬底材料 反应腔室 方向垂直 试验效率 温度分布 阵列分布 组合工艺 沉积台 反应腔 连通 筛选 室内 开发 研究 | ||
【主权项】：
1.一种高通量CVD装置，其特征在于，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台；气体导入装置，与沉积表面之间可围成多个独立的沉积微区，气体导入装置上形成有多个独立的反应气体进入通道，每个反应气体进入通道分别连通于一个所述沉积微区，每个沉积微区分别具有反应气体出口。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
