[发明专利]一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810480227.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108570643A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 宿世臣;王果;凌志聪 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末，将称取的粉末添加酒精混合后经300℃预烧结处理使粉末结成块状，再将经预烧结处理后的粉末经1000℃烧结处理，制得Er掺杂ZnO靶材；将制得的靶材和蓝宝石衬底装入PLD系统中，靶材和蓝宝石衬底的距离为 |
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| 搜索关键词： | 透明导电薄膜 掺杂 蓝宝石 衬底 预烧结 靶材 称取 制备 脉冲激光沉积 致密 控制激光器 摩尔百分比 表面平整 烧结处理 生长压力 抽真空 粗糙度 电阻率 溅射室 透过率 氧气 装入 酒精 生长 | ||
【主权项】：
1.一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末，将称取的粉末添加酒精混合后经300℃预烧结处理使粉末结成块状，再将经预烧结处理后的粉末经1000℃烧结处理，制得Er掺杂ZnO靶材；将制得的靶材和蓝宝石衬底装入PLD系统中，靶材和蓝宝石衬底的距离为![]()
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将溅射室抽真空至6*10‑4Pa，通入氧气，控制生长压力为0.026Pa，在脉冲激光沉积过程中，控制激光器能量为250～400mJ，频率为1～20HZ，蓝宝石衬底为500～800℃，生长时间为1～3h，制得Er掺杂ZnO透明导电薄膜。
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