[发明专利]反应腔室和半导体设备有效
| 申请号： | 201810481450.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110499499B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种反应腔室和半导体设备。反应腔室包括腔体(10)和设于腔体(10)内的第一内衬(5)，腔体(10)的底壁设有排气口(7)和第一进气口(11)，第一内衬(5)为筒状，第一内衬(5)与腔体中心轴的距离大于排气口(7)与腔体中心轴的距离，且小于第一进气口(11)与腔体中心轴的距离，排气口(7)和第一进气口(11)通过气道(2)相连通。反应腔室的内壁上不易形成反应副产物，且成膜质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，其特征在于，包括腔体(10)和设于所述腔体(10)内的第一内衬(5)，所述腔体(10)的底壁设有排气口(7)和第一进气口(11)，所述第一内衬(5)为筒状，所述第一内衬(5)与腔体中心轴的距离大于所述排气口(7)与所述腔体中心轴的距离，且小于所述第一进气口(11)与所述腔体中心轴的距离，所述排气口(7)和第一进气口(11)通过气道(2)相连通。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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