[发明专利]图像传感器结构以及图像传感器在审
| 申请号： | 201810481758.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108598099A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;令海阳;刘宪周;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器结构以及图像传感器，所述图像传感器结构包括基底和石墨烯膜层，所述基底上具有光路区，所述石墨烯膜层附着在所述光路区上。在本发明提供的图像传感器结构以及图像传感器中，在图像传感器结构的光路区上形成石墨烯膜层，由于石墨烯膜层具有优异的光学特性和电学特性，通过石墨烯膜层降低光路区的器件受到电磁波干扰的影响，从而提高图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器结构 石墨烯膜层 图像传感器 光路 基底 电磁波干扰 电学特性 光学特性 附着 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器包括：基底，所述基底上具有光路区；石墨烯膜层，所述石墨烯膜层附着在所述光路区上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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