[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810485178.8 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN108447926A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 邓晓帆;姚宇;李中天 申请(专利权)人: 嘉兴尚羿新能源有限公司
主分类号: H01L31/043 分类号: H01L31/043;H01L31/0725;H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 314031 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构,包括上下设置的顶电池层和底电池层,顶电池层和底电池层之间设置有隧穿层,顶电池层包括从正面到背面依次设置的上透明导电薄膜、电子或空穴传输层、混合阳离子混合卤素钙钛矿层和空穴或电子传输层,底电池层包括从正面到背面依次设置的n或p型非晶硅薄膜和上本征非晶硅薄膜、单晶硅层、下本征非晶硅薄膜、p型或n型非晶硅薄膜和下透明导电薄膜。本发明还公开了一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构制作方法。本发明的一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构及其制作方法,在制备底电池非晶硅薄膜后无需使用高温工艺,也无需使用单独的钙钛矿保护层。在缩减了工艺流程,避免了额外成本的同时提升了电池稳定性。
搜索关键词: 钙钛矿 叠层电池结构 硅异质结 太阳能 底电池层 顶电池层 本征非晶硅薄膜 透明导电薄膜 依次设置 背面 制作 空穴 电池稳定性 电子传输层 非晶硅薄膜 混合阳离子 空穴传输层 单晶硅层 额外成本 钙钛矿层 高温工艺 混合卤素 上下设置 工艺流程 保护层 底电池 隧穿层 制备
【主权项】:
1.一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构,其特征在于:包括上下设置的顶电池层和底电池层,所述顶电池层和底电池层之间设置有隧穿层(6),所述顶电池层包括从正面到背面依次设置的上透明导电薄膜(2)、电子或空穴传输层(3)、混合阳离子混合卤素钙钛矿层(4)和空穴或电子传输层(5),所述透明导电薄膜(2)上面设置有电镀铜栅线正面电极(1),所述底电池层包括从正面到背面依次设置的n或p型非晶硅薄膜(7)和上本征非晶硅薄膜(8)、单晶硅层(9)、下本征非晶硅薄膜(10)、p型或n型非晶硅薄膜(11)和下透明导电薄膜(12),所述下透明导电薄膜(12)下面设置有电镀铜栅线背面电极(13a)或者非结构化电镀铜背电极(13b)。
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