[发明专利]一种掺杂大块单晶SnS的制备方法在审
| 申请号： | 201810486631.7 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108624958A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴宏;彭坤林;周小元;王国玉;卢旭 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包晓静 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料掺杂技术领域，公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法，将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中，置于自制的单晶炉中，用2400分钟升温到1000度，在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；将炉温将至900度，利用自制单晶炉中的温度梯度，采用布里奇曼法，通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。大块掺杂单晶SnS的生长，使用改进的布里奇曼方法；解决了生长过程中硫元素产生过大蒸汽压，这蒸汽压会导致石英管爆炸。 | ||
| 搜索关键词： | 大块 单晶 掺杂 单晶炉 石英管 蒸汽压 制备 自制 半导体材料掺杂 氩气保护环境 布里奇曼法 化学计量比 生长过程 温度梯度 硫元素 手套箱 炉温 保温 扩散 生长 爆炸 移动 改进 保证 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂大块单晶SnS的制备方法，其特征在于，所述掺杂大块单晶SnS的制备方法包括以下步骤：步骤一，将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中，置于自制的单晶炉中，用2400分钟升温到1000度，在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；步骤二，将炉温将至900度，利用自制单晶炉中的温度梯度，采用布里奇曼法，通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。
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