[发明专利]利用驻极体调控的场效应晶体管及人造电子皮肤在审
| 申请号： | 201810487087.8 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110518071A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赵静;孙其君 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/24;H01L21/34;A61F2/10 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种利用驻极体调控的二维半导体材料人造电子皮肤，包括：柔性衬底，所述柔性衬底位于最下层；二维半导体材料层，均匀得置于所述柔性衬底之上；金属电极，所述金属电极和二维半导体材料层组成的两端器件，位于柔性衬底之上，介电层，位于所述二维半导体材料层上层；压电驻极体层置于所述介电层之上，作为栅极材料；以及顶电极。利用单层二维半导体材料场效应晶体管作为应力传感器的原型器件，便于与现有的微加工工艺相匹配；同时有效避免了表面残胶对其性能的影响；并且对场效应晶体管的调控只随应变的改变而变化，实现了利用二维半导体材料场效应晶体管阵列对外界应力分布的实时响应，有效减小了器件工作的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 二维半导体 衬底 材料层 场效应晶体管 金属电极 介电层 场效应晶体管阵列 微加工工艺 应力传感器 表面残胶 两端器件 实时响应 应力分布 原型器件 栅极材料 驻极体层 顶电极 驻极体 最下层 调控 单层 减小 压电 匹配 能耗 皮肤 上层 | ||
【主权项】：
1.一种利用驻极体调控的二维半导体材料场效应晶体管，包括：/n二维半导体材料层；/n金属电极，所述金属电极和二维半导体材料层组成的两端器件，/n介电层，位于所述二维半导体材料层上层；/n压电驻极体层，置于所述介电层之上，作为栅极材料；以及/n顶电极。/n
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