[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201810488000.9 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110224018A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郑宇彣;卢炜业;王毓萱;李弘贸;蔡彦明;陈泓旭;林威戎;张志维;蔡明兴;林圣轩;郑雅忆;林正堂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种半导体结构。在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区 侧壁 半导体结构 导电结构 横向表面 横向延伸 介电层 漏极区 主动区 自源 氮化 硅化物区 基板 对准 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一主动区，位于一基板上，所述主动区包括一源极/漏极区，所述源极/漏极区具有一侧壁与自所述源极/漏极区的所述侧壁横向延伸的一横向表面，所述源极/漏极区还包含自所述源极/漏极区的所述侧壁横向延伸至所述源极/漏极区中的一氮化区；一介电层，位于所述主动区上并具有对准所述源极/漏极区的所述侧壁的一侧壁；以及一导电结构，沿着所述介电层的所述侧壁至所述源极/漏极区设置，所述导电结构包含一硅化物区，且所述硅化物区沿着所述源极/漏极区的所述横向表面并沿着所述源极/漏极区的所述侧壁的至少一部分。
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