[发明专利]变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201810489512.7 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108630510A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 田健;刘磊;刁煜;陆菲菲 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极，包括衬底、生长在衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的光电发射层，以及位于光电发射层上的Cs/O激活层，所述光电发射层为若干等间距分布的p型掺杂GaN纳米线组成的p型GaN纳米线阵列，所述p型掺杂GaN纳米线掺杂浓度从缓冲层表面向外逐渐降低。本发明采用的由缓冲层表面往外掺杂浓度由高到低的变掺杂结构，能在GaN纳米线阵列光电阴极体内产生帮助光电子向表面输运的内建电场，提高光电子的体内输运效率和表面逸出几率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 光电阴极 掺杂 光电发射层 缓冲层表面 纳米线 光电子 衬底 输运 光电发射量子效率 体内 等间距分布 内建电场 逐渐降低 生长 激活层 逸出 制备 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括衬底(1)、生长在衬底(1)上的AlN缓冲层(2)，生长在AlN缓冲层(2)上的光电发射层(3)，以及位于光电发射层(3)上的Cs/O激活层(4)，所述光电发射层(3)为若干等间距分布的p型掺杂GaN纳米线组成的p型GaN纳米线阵列，所述p型掺杂GaN纳米线掺杂浓度从缓冲层表面向外逐渐降低。
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