[发明专利]一种晶圆的生产工艺

摘要

本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种晶圆的生产方法，该工艺采用湿法刻蚀装置，该湿法刻蚀装置包括一号筒体、二号筒体和挡板；二号筒体同轴安装在一号筒体内部；挡板在一号筒体内部呈圆周排列，挡板将一号筒体分割为一号密封仓、二号密封仓和三号密封仓。该湿法刻蚀装置通过套设有一号弹簧的二号滑动伸缩杆与螺旋板的相互配合，在螺旋板震动过程中，二号滑动伸缩杆伸缩，晶圆产生移位，移位后夹紧单元重新对晶圆夹持，使得刻蚀液对晶圆进行均匀刻蚀；同时，螺旋板的震动，使得刻蚀沉淀颗粒与晶圆分离，增大刻蚀液与晶圆的接触，从而提高了刻蚀效果。

主权项

1.一种晶圆的生产工艺，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一：将块状的复晶硅置于石英坩埚内，加热使其完全融化；步骤二：将步骤一中的硅熔浆温度稳定后依次进行晶种的颈部成长、晶冠成长、晶体成长和尾部成长；步骤三：将步骤二中的晶棒直径偏小的头、尾部裁切同时进行外径研磨；步骤四：将步骤三中的晶棒放入切片机中进行切片同时研磨；步骤五：将步骤四中的晶片放入到湿法刻蚀装置中进行蚀刻；步骤六：将步骤五中的晶片放入到清洗装置中彻底清洗、风干；其中，所述湿法刻蚀装置包括一号筒体(1)、二号筒体(2)和挡板(3)；所述二号筒体(2)同轴安装在一号筒体(1)内部；所述挡板(3)的数量为八个且在一号筒体(1)内部呈圆周排列，挡板(3)将一号筒体(1)分割为一号密封仓(4)、二号密封仓(5)和三号密封仓(6)，所述二号密封仓(5)一侧为一号密封仓(4)、二号密封仓(5)另一侧为三号密封仓(6)；挡板(3)上设有通孔(31)；所述一号密封仓(4)的数量为两个，一号密封仓(4)侧壁开设有一号滑槽(41)，一号密封仓(4)内部设有挡液模块(42)；所述二号密封仓(5)数量为四个，二号密封仓(5)内部固定安装刻蚀模块(51)；所述三号密封仓(6)数量为两个，三号密封仓(6)中设有一号进液口(61)；所述二号筒体(2)底部开设有排液口(21)，二号筒体(2)与一号密封仓(4)相交处侧壁开设有二号进液口(43)；所述刻蚀模块(51)包括壳体(511)、三号导杆(512)和转动单元(513)；所述壳体(511)上设有三号进液口(518)；所述转动单元(513)通过三号导杆(512)固定安装在壳体侧壁上。