[发明专利]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块在审
| 申请号： | 201810491127.6 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108447845A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 安冰翀 | 申请（专利权）人： | 臻驱科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L25/07;H01L21/66;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;吴崇 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块。本发明的功率半导体模块衬底，包括第一金属敷层、第二金属敷层、第三金属敷层、第四金属敷层和第五金属敷层；其中，第四金属敷层上设有第一隔断结构，使第四金属敷层分为第一敷层单元和第二敷层单元，第一隔断结构上设有第一电流传感器，第一电流传感器将第一敷层单元和第二敷层单元连接；第五金属敷层上设有第二隔断结构，使第五金属敷层分为第三敷层单元和第四敷层单元，第二隔断结构上设有第二电流传感器，第二电流传感器分将第三敷层单元和第四敷层单元连接。本发明的功率半导体模块衬底及功率半导体模块，能够直接在功率半导体模块衬底上集成电流传感器，其结构简单、制造成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属敷层 功率半导体模块 敷层 衬底 电流传感器 隔断结构 单元连接 集成电流传感器 制造成本 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一金属敷层、第二金属敷层、第三金属敷层、第四金属敷层和第五金属敷层，所述第一金属敷层、所述第二金属敷层和所述第三金属敷层依次连接，所述第四金属敷层和所述第五金属敷层分别与所述第一金属敷层连接；其中，所述第四金属敷层上设有第一隔断结构，使所述第四金属敷层分为第一敷层单元和第二敷层单元，所述第一隔断结构上设有第一电流传感器，所述第一电流传感器将所述第一敷层单元和所述第二敷层单元连接；所述第五金属敷层上设有第二隔断结构，使所述第五金属敷层分为第三敷层单元和第四敷层单元，所述第二隔断结构上设有第二电流传感器，所述第二电流传感器分将所述第三敷层单元和所述第四敷层单元连接。
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