[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法

摘要

本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法，该刻蚀方法采用了刻蚀设备，该刻蚀设备包括刻蚀箱、端盖、固定座、激励线圈、偏压提供装置、盛放单元和转动单元，刻蚀箱为无盖圆筒型，端盖放置在刻蚀箱的顶部，固定座安装在刻蚀箱的内壁上；激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压提供装置用于向硅晶片施加偏压，盛放单元用于盛放待刻蚀的硅晶片；转动单元用于带动刻蚀箱内部的盛放单元转动，需要对硅晶片进行刻蚀时，将其放入盛放单元中，向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，使硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的作用下进行刻蚀，该方法可及时避免刻蚀产物对硅晶片造成覆盖而致其刻蚀不充分，提高刻蚀效率。

主权项

1.一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法采用如下刻蚀设备，该刻蚀设备包括刻蚀箱(1)、端盖(2)、固定座(3)、激励线圈(4)、偏压提供装置(5)、盛放单元(6)和转动单元(7)，所述刻蚀箱(1)为无盖圆筒型，刻蚀箱(1)中心轴线竖直放置，刻蚀箱(1)内部底层中心开设气体出口(11)和一号圆环形凹槽，一号圆环形凹槽位于气体出口(11)的外侧，气体出口(11)用于刻蚀箱(1)内部的气体反应产物的流出；所述端盖(2)放置在刻蚀箱(1)的顶部，端盖(2)为圆盘型，端盖(2)的中心开设气体注入口(21)，气体注入口(21)用于向刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体；所述固定座(3)为圆环形，固定座(3)水平安装在刻蚀箱(1)的内壁上；所述激励线圈(4)安装在刻蚀箱(1)的外壁上，激励线圈(4)用于将刻蚀箱(1)内部的刻蚀气体激发成等离子体；所述偏压提供装置(5)设置在刻蚀箱(1)的内部，偏压提供装置(5)用于向刻蚀箱(1)内部的硅晶片施加偏压；所述盛放单元(6)设置在刻蚀箱(1)内部中心，盛放单元(6)用于盛放待刻蚀的硅晶片；所述转动单元(7)设置在刻蚀箱(1)的外部底层，转动单元(7)用于带动刻蚀箱(1)内部的盛放单元(6)转动，以加快刻蚀的进程和提高刻蚀的效果；该硅晶片刻蚀方法包括如下步骤：步骤一：配制硅晶片清洗溶液，将待刻蚀的硅晶片放入配制好的清洗溶液中进行清洗；步骤二：将端盖(2)从刻蚀箱(1)上方移走，再将防护罩从盛放筒顶部移走，使用镊子将步骤一中清洗干净的硅晶片放入盛放单元(6)中后，安装好防护罩后盖上端盖(2)；步骤三：通过气体注入口(21)向步骤二中刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体；步骤四：开启偏压提供装置(5)对硅晶片施加偏压，向激励线圈(4)通电，步骤三中的刻蚀气体在刻蚀箱(1)内部发生电离；步骤五：开启空心电机和抽吸泵，以及控制喷气头向放置板吹惰性气体，控制步骤四中的刻蚀箱(1)内部的转动单元(7)带动盛放单元(6)进行旋转，将刻蚀气体反应产物从刻蚀箱(1)内部清除；步骤六：使用镊子将步骤五中盛放单元(6)上的刻蚀好后的硅晶片取出，放入盛放纯净水的晶片盒中静置。