[发明专利]基于场板和P型AlGaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管在审
申请号: | 201810494849.7 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108649075A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 郑雪峰;白丹丹;马晓华;吉鹏;王士辉;李纲;董帅;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海栋 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于场板和P型AlGaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:衬底层,所述衬底层上的缓冲层,所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层上的势垒层,所述势垒层两端的阴极和复合阳极,与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的P型AlGaN帽层,与所述复合阳极相连且位于所述P型AlGaN帽层上的基极,覆盖在所述势垒层、所述P型AlGaN帽层、所述基极、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层,其中,所述阴极为阴极欧姆接触,所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例引入P型AlGaN帽层和基极,并采用复合阳极,制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。 | ||
搜索关键词: | 复合阳极 帽层 势垒层 肖特基势垒二极管 阴极 衬底层 沟道层 缓冲层 场板 反向击穿电压 阳极欧姆接触 阴极欧姆接触 肖特基接触 开启电压 阳极 钝化层 正向 制备 引入 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种基于场板和P型AlGaN帽层的RESURF GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:衬底层(201),所述衬底层(201)上的缓冲层(202),所述缓冲层(202)上的沟道层(203),所述沟道层(203)上的势垒层(204),所述势垒层(204)两端的阴极和复合阳极,与所述复合阳极相连且位于所述势垒层(204)上的P型AlGaN帽层(206),与所述复合阳极相连且位于所述P型AlGaN帽层(206)上的基极(211),覆盖在所述势垒层(204)、所述P型AlGaN帽层(206)、所述基极(211)、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层(212),其中,所述阴极为阴极欧姆接触(207),所述复合阳极包括阳极欧姆接触(208)和阳极肖特基接触(210)。
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