[发明专利]高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭有效
申请号: | 201810496935.1 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108517557B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 刘志强;王坤;潘家明;潘明翠;王丙宽 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陈晓彦 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明适用于光伏电池技术领域,提供了高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭,该方法包括:在坩埚内表面涂覆保护层,所述保护层的材质包括氮化硅和纯水;在所述坩埚底面涂覆的保护层上表面涂覆引晶层,所述引晶层的材质包括氮化硅、纯水和硅粉;在涂覆引晶层后的坩埚内放入多晶硅原料,并将所述坩埚放置于铸锭炉中,将所述铸锭炉抽真空;将所述铸锭炉加热至第一预设温度,使所述多晶硅原料和所述硅粉全部熔化形成硅液;在所述坩埚底部形成过冷状态,使硅液在所述坩埚底部形成晶核;除形成所述晶核以外的硅液在所述晶核的基础上结晶,生长成高效多晶硅锭。本发明能够降低工艺难度,节省化料时间。 | ||
搜索关键词: | 高效 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,包括:在坩埚内表面涂覆保护层,所述保护层的材质包括氮化硅和纯水;在所述坩埚底面涂覆的保护层上表面涂覆引晶层,所述引晶层的材质包括氮化硅、纯水和硅粉;在涂覆引晶层后的坩埚内放入多晶硅原料,并将所述坩埚放置于铸锭炉中,将所述铸锭炉抽真空;将所述铸锭炉加热至第一预设温度,使所述多晶硅原料和所述硅粉全部熔化形成硅液;在所述坩埚底部形成过冷状态,使硅液在所述坩埚底部形成晶核;除形成所述晶核以外的硅液在所述晶核的基础上结晶,生长成高效多晶硅锭。
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