[发明专利]掺镓多晶硅锭的制备方法及掺镓多晶硅锭在审
| 申请号： | 201810497410.X | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108531983A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王坤;潘家明;王丙宽;刘志强;周秉林;潘明翠 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 林艳艳 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于光伏电池技术领域，提供了掺镓多晶硅锭的制备方法及掺镓多晶硅锭，该方法包括：将镓硅掺杂剂块铺设在第一坩埚底部，所述镓硅掺杂剂块包括镓元素和硅元素；在铺设镓硅掺杂剂块后的第一坩埚内放入多晶硅原料，并将所述第一坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；升高所述铸锭炉内的温度，使多晶硅原料全部熔化，所述镓硅掺杂剂块部分熔化；对全部熔化后的多晶硅原料和部分熔化后的镓硅掺杂剂块进行结晶处理，生长成多晶硅锭。本发明能够制备掺杂浓度均匀的掺镓多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅锭 硅掺杂 熔化 多晶硅原料 铸锭炉 坩埚 制备 铺设 光伏电池 结晶处理 抽真空 硅元素 镓元素 放入 掺杂 升高 生长 | ||
【主权项】：
1.一种掺镓多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：将镓硅掺杂剂块铺设在第一坩埚底部，所述镓硅掺杂剂块包括镓元素和硅元素；在铺设镓硅掺杂剂块后的第一坩埚内放入多晶硅原料，并将所述第一坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；升高所述铸锭炉内的温度，使多晶硅原料全部熔化，所述镓硅掺杂剂块部分熔化；对全部熔化后的多晶硅原料和部分熔化后的镓硅掺杂剂块进行结晶处理，生长成多晶硅锭。
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