[发明专利]一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201810497411.4 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108754525B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王雅琨;刘明生;王智杰;曲胜春;刘孔;刘俊;李燕 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学;中国科学院半导体研究所;邯郸学院 |
| 主分类号： | C25B1/02 | 分类号： | C25B1/02;C25B11/06;C25B11/08;C23C28/00;C23C14/24;C23C14/18;C23C18/12 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 林艳艳 |
| 地址： | 300401 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 光电极 制备 锆钛酸铅铁电薄膜 电极 金膜 退火 光电转换效率 锆钛酸铅薄膜 薄膜均匀性 可见光吸收 锆钛酸铅膜 电压条件 基底清洗 蒸镀金膜 制备工艺 导电基 光电流 上旋 煅烧 封装 | ||
【主权项】：
1.一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极，其特征在于：包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜。
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