[发明专利]电可编程熔丝的编程方法有效
申请号: | 201810497511.7 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108735662B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 于奎龙;韩坤 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;G11C17/18 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电可编程熔丝的编程方法,利用电可编程熔丝的导电介质在不同条件下会呈现不同的物理变化的特点,采用第一编程条件将所述导电介质从初始物理状态变化到熔化扩散等第一物理状态,以把电可编程熔丝从低阻态编程到中间阻态,采用第二编程条件将所述导电介质从所述初始物理状态或所述第一物理状态变化到第二物理状态,以把电可编程熔丝从低阻态或中间阻态编程到高阻态,即通过两种不同的编程条件实现三种信息存储状态的转换,可以显著提高电可编程熔丝器件的信息存储密度和芯片面积利用率,有利于芯片尺寸缩减。 | ||
搜索关键词: | 可编程 编程 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电可编程熔丝的编程方法,其特征在于,所述电可编程熔丝中具有导电介质,所述导电介质具有初始物理状态、第一物理状态以及第二物理状态,所述编程方法包括以下步骤:采用第一编程条件对所述电可编程熔丝进行编程,使所述导电介质从初始物理状态变化到第一物理状态,以将所述电可编程熔丝从低阻态编程到中间阻态;采用不同于所述第一编程条件的第二编程条件对所述电可编程熔丝进行编程,使所述导电介质从初始物理状态或所述第一物理状态变化到第二物理状态,以将所述电可编程熔丝从所述低阻态或所述中间阻态编程到高阻态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810497511.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:预间隔物自对准切口形成
- 下一篇:制造LED矩阵显示装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造