[发明专利]操作具非易失性存储单元电路的方法及使用所述方法的电路有效
| 申请号： | 201810497725.4 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108959976B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;张钦鸿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73;G06F21/79 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种操作具非易失性存储单元电路的方法及使用所述方法的电路，所述电路包括多个非易失性存储单元及逻辑，所述逻辑用以使用实体不可复制功能以产生密钥且将密钥存储于多个非易失性存储单元中的一组非易失性存储单元中。实体不可复制功能可使用衍生自多个非易失性存储单元中的非易失性存储单元的熵以产生密钥。逻辑经描述为禁用对所述组非易失性存储单元中的数据的改变，且从而在密钥存储于所述组非易失性存储单元中之后将其冻结。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 具非易失性 存储 单元 电路 方法 使用 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：多个非易失性存储单元；用以使用实体不可复制功能来产生密钥且将所述密钥存储于所述多个非易失性存储单元中的一组非易失性存储单元中的逻辑；以及用以在所述密钥存储于所述组中之后禁用对所述组非易失性存储单元中的数据的改变的逻辑。
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