[发明专利]一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物及其制备方法在审
| 申请号： | 201810498000.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108623811A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘新才;高健宝;赵震;顾依洋 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C08G77/46 | 分类号： | C08G77/46;C08G65/40 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物及其制备方法，属于高分子材料及其制备技术领域。本发明所述的含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物的制备方法，其分两步合成：第一步，合成不同羧基结构含量的聚芳醚酮聚合物；第二步，在DCC/DMAP催化条件下，不同羧基结构含量的聚芳醚酮与单氨基POSS发生酰胺缩合反应，制备不同POSS结构含量的聚芳醚酮聚合物。聚合物保留了含羧基结构聚芳醚酮优异的力学性能和加工性能，POSS结构的引入，在大幅度降低聚合物的介电常数的同时，进一步提升和改善了聚合物的力学性能和热性能，使含POSS结构聚芳醚酮聚合物兼具超低介电常数与优异的综合性能，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 聚芳醚酮 超低介电常数 制备 羧基结构 力学性能 制备技术领域 酰胺缩合反应 合成 高分子材料 催化条件 加工性能 介电常数 综合性能 单氨基 热性能 引入 保留 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含有POSS结构超低介电常数聚芳醚酮聚合物，其结构式如下所示：![]()
X：![]()
上述聚合反应式中，m＝0.1～1；n为50～70的整数。
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