[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810498082.5 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110534653A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谭铭希;丁长增;张连萍;马昌期 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王锋;赵世发<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述钙钛矿薄膜的制备方法包括制备第一钙钛矿薄膜层的第一步骤和在第一钙钛矿薄膜层上制备第二钙钛矿薄膜层的第二步骤，其中，所述的第二步骤包括：至少采用溶液法使钙钛矿前驱体溶液在所述第一钙钛矿薄膜层上形成第二钙钛矿薄膜层。本发明还提供了所述的钙钛矿薄膜于制备光电装置中的用途。本发明利用两次沉积钙钛矿薄膜的制备方法可以获得表面更平整的钙钛矿薄膜，同时还可以通过调整前后两次形成钙钛矿薄膜的原料组成获得具有不同组份组合的新型钙钛矿薄膜，基于本发明提供的钙钛矿薄膜形成的光电器件具有更优异的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 制备 制备方法和应用 前驱体溶液 光电器件 光电装置 两次沉积 器件性能 原料组成 钙钛矿 溶液法 组份 平整 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括制备第一钙钛矿薄膜层的第一步骤和在第一钙钛矿薄膜层上制备第二钙钛矿薄膜层的第二步骤，其特征在于，所述的第二步骤包括：至少采用溶液法使钙钛矿前驱体溶液在所述第一钙钛矿薄膜层上形成第二钙钛矿薄膜层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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