[发明专利]制备氮化镓基纳米环结构的方法有效
| 申请号： | 201810498089.7 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108682723B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘喆;冯梁森;张宁;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；进行脱模和等离子体轰击；在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；刻蚀，得到纳米环结构；湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 纳米环 纳米压印模板 制备 氮化镓基 纳米压印 等离子体轰击 金属 聚合物图形 旋涂聚合物 湿法腐蚀 图形凹槽 后移 刻蚀 上旋 脱模 旋涂 压印 掩膜 蒸镀 去除 清洗 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：步骤1：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，将第一块纳米压印模板压在上面并施加一预定压力，进行第一次纳米压印；步骤2：压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；步骤3：采用等离子体轰击去除图形凹槽底部的聚合物；步骤4：利用ICP刻蚀工艺将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；步骤5：在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；步骤6：重复步骤2和步骤3，进行脱模和等离子体轰击；步骤7：在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；步骤8：利用ITO或者金属做掩膜进行ICP刻蚀，得到纳米环结构；步骤9：湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备；其中进行第二次纳米压印，形成图形，第二块纳米压印模板采用与第一块纳米压印模板相同的周期排列方式，直径为纳米环结构的内环直径。
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