[发明专利]一种TiO2/BiVO4异质结复合材料的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810498534.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108686645A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 姜毅;蒋文超;夏立新;张谦;佟静 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | B01J23/22 | 分类号： | B01J23/22;B01J37/02;B01J37/08;B01J37/34;C01B3/04 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人： | 金春华 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TiO2/BiVO4异质结复合材料的制备方法和应用。于含有硝酸铋、碘化钾和对苯醌的电沉积溶液中，采用三电极体系，在FTO上沉积BiOI膜，于BiOI膜上均匀滴加乙酰丙酮氧矾的DMSO溶液后，于450℃保温2h，冷却至室温后，放入无机碱溶液中浸泡30min；将得到的钒酸铋基底浸入二氧化钛水溶胶中，60℃保持30‑60min后，在500℃煅烧2h，得TiO2/BiVO4异质结。本发明制备方法简单，采用浸渍的方法，将纳米球状的二氧化钛负载在多孔的钒酸铋上，通过高温煅烧，形成二氧化钛钒酸铋异质结。不仅提高了半导体对光解水的催化活性，而且对于制备其他半导体异质结提供了一种思路。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 钒酸铋 制备方法和应用 二氧化钛 复合材料 制备 二氧化钛水溶胶 浸渍 半导体异质结 乙酰丙酮氧矾 电沉积溶液 三电极体系 无机碱溶液 浸入 催化活性 高温煅烧 碘化钾 对苯醌 硝酸铋 沉积 滴加 放入 基底 煅烧 半导体 保温 浸泡 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种TiO2/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)制备钒酸铋基底：于含有硝酸铋、碘化钾和对苯醌的电沉积溶液中，采用三电极体系，在导电载体FTO上沉积一层BiOI膜，水洗，氮气吹干后，于BiOI膜上均匀滴加乙酰丙酮氧矾的DMSO溶液后，于450℃保温2h，冷却至室温后，放入无机碱溶液中浸泡30min，取出，用水冲洗，氮气吹干，得钒酸铋基底；2)制备TiO2/BiVO4异质结复合材料：将钒酸铋基底浸入二氧化钛水溶胶中，60℃保持30‑60min后，置于马弗炉中500℃煅烧2h。
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