[发明专利]用于纳米片装置的取代金属栅极图案化有效
| 申请号： | 201810500777.2 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108933084B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;朴灿柔;成敏圭;金勋;臧辉;许国伟 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于纳米片装置的取代金属栅极图案化，其关于一种用于纳米片装置的取代金属栅极图型化的方法，包括：在衬底上形成第一与第二纳米片堆栈，该第一与第二纳米片堆栈彼此相邻，并且各包括以一距离分开的垂直相邻的纳米片；沉积围绕该第一纳米片堆栈的第一金属、及该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的第二部分；在该第一纳米片堆栈与该第二纳米片堆栈之间形成隔离区；利用蚀刻程序移除该第一金属的围绕该第二纳米片堆栈的该第二部分，该隔离区防止该蚀刻程序伸抵该第一金属的该第一部分，并且藉以防止移除该第一金属的该第一部分；以及沉积将该第二纳米片堆栈的各该纳米片围绕的第二金属。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 装置 取代 金属 栅极 图案 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包含：在衬底上形成第一与第二纳米片堆栈，该第一与第二纳米片堆栈彼此相邻，并且各包括以一距离分开的垂直相邻的纳米片；沉积第一金属，使得该第一金属的第一部分围绕该第一纳米片堆栈的各该纳米片，并且该第一金属的第二部分围绕该第二纳米片堆栈的各该纳米片；在该第一纳米片堆栈与该第二纳米片堆栈之间形成隔离区；利用蚀刻程序移除该第一金属围绕该第二纳米片堆栈的该第二部分，该隔离区防止该蚀刻程序伸抵该第一金属的该第一部分，并且藉以防止移除该第一金属的该第一部分；移除该隔离区；以及沉积将该第二纳米片堆栈的各该纳米片围绕的第二金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
