[发明专利]基于托卡马克装置实现高流强电子加速的方法有效
| 申请号： | 201810502459.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108521709B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈忠勇;冯威;杨琨 | 申请（专利权）人： | 成都大学 |
| 主分类号： | H05H15/00 | 分类号： | H05H15/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于托卡马克装置实现高流强电子加速的方法，包括开启托卡马克装置形成稳定的等离子体电流；托卡马克中央控制系统在预设的时间点，向已形成稳定的等离子体电流的等离子体内注入气体，形成高流强电子束的内容，更进一步地，还在形成高流强电子束后，间隔预设的监测时间监测所述高流强电子束是否偏离平衡位置，当偏离平衡位置时，托卡马克中央控制系统导通极向场线圈产生磁场，将所述高流强电子束拉回平衡位置。采用本发明的方法实现的电子束流强最高可达兆安量级，比目前的电子直线加速器的电子流强高10 |
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| 搜索关键词： | 基于 马克 装置 实现 高流强 电子 加速 方法 | ||
【主权项】：
1.基于托卡马克装置实现高流强电子加速的方法，其特征在于，开启托卡马克装置形成稳定的等离子体电流；托卡马克中央控制系统在预设的时间点，向已形成稳定的等离子体电流的等离子体内注入高核电荷数Z的杂质气体，形成高流强电子束。
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