[发明专利]基于基片集成波导的电可调的三模带通滤波器

摘要

本发明属于滤波器技术领域，公开了一种基于基片集成波导的电可调的三模带通滤波器，由上层金属表面、中间介质基板和下层金属底面组成，包括第一谐振腔和第二谐振腔；第一谐振腔为一个方形的双模基片集成波导谐振腔，第二谐振腔为一个等腰直角三角形的基于主模的基片集成波导谐振腔；第一谐振腔和第二谐振腔采用直接耦合的方式级联在一起形成三模带通滤波器；三模带通滤波器的馈电方式采用共面波导馈电，且采用阶梯形式进行阻抗匹配；矩形谐振腔引入两个传输零点，三角腔减少了其他模式的杂散频率，二者实现同步可调的同时，共同提升了可调带通滤波器的带外抑制性能。

主权项

1.一种基于基片集成波导的电可调的三模带通滤波器，其特征在于，所述三模带通滤波器由上层金属表面、中间介质基板和下层金属底面组成，包括第一谐振腔和第二谐振腔；所述第一谐振腔为一个方形的双模基片集成波导谐振腔，所述第二谐振腔为一个等腰直角三角形的基于主模的基片集成波导谐振腔；所述第一谐振腔和所述第二谐振腔采用直接耦合的方式级联在一起形成所述三模带通滤波器；所述三模带通滤波器的馈电方式采用共面波导馈电，且采用阶梯形式进行阻抗匹配；所述第一谐振腔采用简并模式进行谐振，所述简并模式为对角TE₁₀₂模式和TE₂₀₁模式，并且在所述第一谐振腔的一组对角的位置分别设置有一个金属化过孔；所述第一谐振腔上还设置有四个表面方环型的缝隙谐振器，所述四个表面方环型的缝隙谐振器分别设置在TE₁₀₂模式的电场分布场强最大的位置处和TE₂₀₁模式的电场分布场强最大的位置处；所述第一谐振腔上还设置有四个相同的变容二极管，所述四个相同的变容二极管分别搭载在所述四个表面方环型的缝隙谐振器的缝隙上；所述第二谐振腔采用基模进行谐振，所述基模为TE₁₀₁模式；所述第二谐振腔上设置有一个表面方环型的缝隙谐振器，所述一个表面方环形的缝隙谐振器设置在距离所述第二谐振腔的电场分布场强中心预设距离的位置处；所述第二谐振腔上还设置有一个变容二极管，且所述一个变容二极管搭载在所述一个表面方环形的缝隙谐振器的缝隙上。