[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底内分别形成有光电器件，所述第一区域的光电器件吸收的光的波长大于所述第二区域的光电器件吸收的光的波长；所述半导体衬底的表面为台阶状表面，所述第一区域的半导体衬底表面高于所述第二区域的半导体衬底表面；浅沟槽隔离结构，形成在所述半导体衬底内、且位于所述光电器件之间。本发明技术方案提高了图像传感器的量子转换效率。

主权项

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底内分别形成有光电器件，所述第一区域的光电器件吸收的光的波长大于所述第二区域的光电器件吸收的光的波长；刻蚀所述半导体衬底形成台阶状表面，所述第一区域的半导体衬底表面高于所述第二区域的半导体衬底表面；在所述台阶状表面上形成介质层；在所述介质层上形成平坦化层，所述平坦化层与所述第一区域的半导体衬底上的介质层齐平；在所述平坦化层和第一区域的半导体衬底上的介质层上形成底部抗反射涂层；依次刻蚀所述平坦化层、介质层和半导体衬底，在所述平坦化层、介质层和半导体衬底内形成浅沟槽；在所述半导体衬底内的浅沟槽侧壁和底部形成氧化层；在所述浅沟槽内填满绝缘介质；去除所述平坦化层和部分绝缘介质。