[发明专利]晶圆对准方法及晶圆对准装置在审
| 申请号： | 201810505557.9 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735645A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张党柱;赖政聪;古哲安;黄志凯;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆对准方法和一种晶圆对准装置，所述晶圆对准方法包括：提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记；获取所述缺口标记的测量位置；获取所述对准标记的测量位置；根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置；获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。上述晶圆对准方法能够提高晶圆对准效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺口标记 晶圆 测量位置 对准标记 对准 对准装置 计算位置 位置偏差 校准位置 种晶 相对位置关系 操作过程 光刻工艺 晶圆边缘 晶圆表面 校准 搜索 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆对准方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记；获取所述缺口标记的测量位置；获取所述对准标记的测量位置；根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置；获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810505557.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅片定向及位置补偿的方法
- 下一篇：可兼用于正面置晶及反面置晶的置晶装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
