[发明专利]一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810507252.1 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108598154A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;章剑 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法。该晶体管包括：基底，基底包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的栅区；氮化镓调制栅，位于栅区，氮化镓调制栅包括掺杂P型离子的氮化镓材料；源极及漏极，源极位于源区，漏极位于漏区；栅极金属层，位于氮化镓调制栅的远离基底的表面上，栅极金属层至少包括镧系金属层，镧系金属层与氮化镓调制栅接触。本发明实施例提供的增强型氮化镓晶体管，通过在氮化镓调制栅远离基底的一侧设置镧系金属层，并使镧系金属层与氮化镓调制栅接触，在增强型氮化镓晶体管工作时，需要提供更高的电压才能使源极和漏极之间的沟道导通，因此，提高了增强型氮化镓晶体管的栅极阈值电压，减少了栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 增强型氮化镓晶体管 氮化镓 调制 镧系金属 基底 漏极 漏区 源极 源区 栅极金属层 栅接触 栅区 制备 栅极阈值电压 氮化镓材料 栅极漏电流 掺杂P型 晶体管 导通 沟道 离子 | ||
【主权项】：
1.一种增强型氮化镓晶体管，其特征在于，包括：基底，所述基底包括源区和漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的栅区；氮化镓调制栅，位于所述栅区，所述氮化镓调制栅包括掺杂P型离子的氮化镓材料；源极及漏极，所述源极位于所述源区，所述漏极位于所述漏区；栅极金属层，位于所述氮化镓调制栅的远离所述基底的表面上，所述栅极金属层至少包括镧系金属层，所述镧系金属层与所述氮化镓调制栅接触。
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