[发明专利]复合介质层的刻蚀方法以及复合介质层有效
| 申请号： | 201810507777.5 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534402B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘珂;陈国动;朱海云 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。包括：向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括氟化的碳氢化合物气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述氟化的碳氢化合物气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中，所述氟化的碳氢化合物气体满足CH |
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| 搜索关键词： | 复合 介质 刻蚀 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种复合介质层的刻蚀方法，所述复合介质层包括层叠设置的至少两层介质子层，并且，各层介质子层的材料不同，其特征在于，刻蚀方法包括：/nS110、向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括碳氟类气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述碳氟类气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中，所述碳氟类气体满足CHxFy，x和y均为大于等于1的正整数，且x+y＝4；/nS120、将所述刻蚀气体电离以形成刻蚀等离子体；/nS130、利用所述刻蚀等离子体，在预设的刻蚀参数下，对所述复合介质层进行一次刻蚀工艺，以选择性地完全或者部分刻蚀各所述介质子层，以获得预定的刻蚀图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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