[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板有效

专利信息
申请号: 201810508747.6 申请日: 2018-05-24
公开(公告)号: CN108598093B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 田宏伟;牛亚男;赵梦;王雷;刘政 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成有源层、第一栅绝缘层和第一栅极;在形成有第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层,第二栅绝缘层包括沿远离有源层的方向设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层,第一子绝缘层的氢含量大于第二子绝缘层的氢含量;对有源层进行氢化处理。本发明通过形成包括氢含量较大的第一子绝缘层以及氢含量较小的第二子绝缘层,使得在氢化处理的过程中,氢能够更好的向有源层的方向扩散,提高氢浓度梯度向有源层方向的分布,提高对于有源层的氢化作用。解决了相关技术中影响有源层的电学性能的问题。达到了提高有源层的电学性能的效果。
搜索关键词: 阵列 制造 方法 显示 面板
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上依次形成有源层、第一栅绝缘层和第一栅极,所述有源层由低温多晶硅或微晶硅构成;在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层,所述第二栅绝缘层包括沿远离所述有源层的方向设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层,所述第一子绝缘层的氢含量大于所述第二子绝缘层的氢含量;对所述有源层进行氢化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810508747.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top