[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板有效
申请号: | 201810508747.6 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108598093B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 田宏伟;牛亚男;赵梦;王雷;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成有源层、第一栅绝缘层和第一栅极;在形成有第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层,第二栅绝缘层包括沿远离有源层的方向设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层,第一子绝缘层的氢含量大于第二子绝缘层的氢含量;对有源层进行氢化处理。本发明通过形成包括氢含量较大的第一子绝缘层以及氢含量较小的第二子绝缘层,使得在氢化处理的过程中,氢能够更好的向有源层的方向扩散,提高氢浓度梯度向有源层方向的分布,提高对于有源层的氢化作用。解决了相关技术中影响有源层的电学性能的问题。达到了提高有源层的电学性能的效果。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上依次形成有源层、第一栅绝缘层和第一栅极,所述有源层由低温多晶硅或微晶硅构成;在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层,所述第二栅绝缘层包括沿远离所述有源层的方向设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层,所述第一子绝缘层的氢含量大于所述第二子绝缘层的氢含量;对所述有源层进行氢化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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