[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810508938.2 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933117A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 郑朝元;黄天建 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括形成在衬底上的第一层级、第二层级、及第三层级。所述第一层级形成在所述衬底上，所述第二层级形成在所述第一层级上，且所述第三层级形成在所述第二层级上。所述第二层级包括被配置成传送信号的第一内连线。所述第一层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正下方的一部分缺少(lack)内连线，且所述第三层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正上方的一部分缺少内连线。 | ||
| 搜索关键词： | 层级 内连线 半导体装置 层级设置 衬底 传送信号 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一层级、第二层级、及第三层级，形成在衬底上，其中所述第一层级形成在所述衬底上，所述第二层级形成在所述第一层级上，且所述第三层级形成在所述第二层级上，其中所述第二层级包括被配置成传送信号的第一内连线，且其中所述第一层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正下方的一部分缺少内连线，且所述第三层级设置在所述第二层级的所述第一内连线正上方的一部分缺少内连线。
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