[发明专利]一种隔离高压输入的传输门电路在审
申请号: | 201810509010.6 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108540116A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 张金弟;朱乐永;杨磊;章良;王铭义;刘松强;林啸 | 申请(专利权)人: | 上海芯圣电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201616 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种结构简单、可靠性高的隔离高压输入的传输门电路,属于电子电路技术领域。传输门电路包括NMOS管M1、PMOS管M2和N级上拉电路,NMOS管M1的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接;NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接,同时与传输门电路的输出VOUT连接,NMOS管M1和PMOS管M2的栅极通相反的电压控制信号;所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间,用于当传输门电路处于断开状态时,使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同,N为大于1的正整数在实现相同隔离效果的情况下,每多加一级上拉电路,则可以有效降低上拉电路中PMOS管的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 传输门电路 上拉电路 隔离高压 漏极 电压控制信号 电子电路技术 源极/漏极 断开状态 隔离效果 漏极电压 源极连接 正整数 源极 输出 | ||
【主权项】:
1.一种隔离高压输入的传输门电路,所述传输门电路包括NMOS管M1和PMOS管M2,NMOS管M1的漏极/源极与传输门电路的输入VIN连接;NMOS管M1的源极/漏极与PMOS管M2的源极连接,同时与传输门电路的输出VOUT连接,NMOS管M1和PMOS管M2的栅极控制信号相位相反;其特征在于,所述传输门电路还包括N级上拉电路,所述N级上拉电路串联连接在输入VIN与PMOS管M2的漏极之间,用于当传输门电路处于断开状态时,使PMOS管M2的漏极电压和电压VDD相同,N为大于1的正整数。
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