[发明专利]纳米线晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810509202.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108598170B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 许峰;高滨;李辛毅;吴华强;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 361022 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种纳米线晶体管及其制作方法，该纳米线晶体管包括：半导体线、半导体层、源极和漏极。半导体线包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区，沿所述半导体线的轴向方向，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间；半导体层包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区；所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触，所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。在该纳米线晶体管中，由于源极和漏极与半导体线直接接触，栅极电场对沟道的控制作用得到加强，从而避免或减小栅致漏极泄漏电流，有利于提高纳米线晶体管的开关态电流比。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线晶体管，包括：半导体线，包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区，其中，沿所述半导体线的轴向方向，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间；半导体层，包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区；以及源极和漏极，其中，所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触，所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。
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