[发明专利]一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201810509325.0 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807528A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;朱顺威;胡梅;赵玥阳;李涛;仝宜波;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 魏秀枝 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管；包括：自下而上排列的半绝缘衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层；所述铝镓氮势垒层上有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层上表面为源电极，所述漏极帽层的表面为漏电极；所述源电极和漏电极之间，且靠近源电极端设置有栅电极；所述源极帽层和漏极帽层之间设置有高栅，其上表面比底面高出5nm，所述源电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面，形成具有凹陷形成的左凹陷区域，所述漏电极和栅电极间的正下方与氮化镓缓冲层上表面形成具有凹陷形成的右凹陷区域。本发明改善器件的跨导饱和区、提高器件的饱和输出功率以及改善器件的直流特性和频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 氮化镓缓冲层 漏极帽层 源极帽层 漏电极 源电极 氮化镓高电子迁移率晶体管 铝镓氮势垒层 凹陷区域 新型微波 栅电极间 凹陷 饱和输出功率 氮化铝成核层 频率特性 直流特性 半绝缘 饱和区 电极端 靠近源 栅电极 衬底 底面 | ||
【主权项】：
1.一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：自下而上排列的半绝缘衬底(1)、氮化铝成核层(2)、氮化镓缓冲层(3)和铝镓氮势垒层(4)；其中，所述铝镓氮势垒层(4)上有源极帽层(5)和漏极帽层(6)，所述源极帽层(5)上表面为源电极(7)，所述漏极帽层(6)的表面为漏电极(8)；所述源电极(7)和漏电极(8)之间，且靠近源电极(7)端设置有栅电极(9)；所述源极帽层(5)和漏极帽层(6)之间设置有高栅(10)，其上表面比底面高出5nm，所述源电极(7)和栅电极(9)间的正下方与氮化镓缓冲层(3)上表面，形成具有凹陷形成的左凹陷区域(11)，所述漏电极(8)和栅电极(9)间的正下方与氮化镓缓冲层(3)上表面形成具有凹陷形成的右凹陷区域(12)。
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