[发明专利]半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备

摘要

本发明一种基于低温离子注入的半导体结构、晶体管制备及半导体处理设备，半导体结构制备包括：提供待处理结构，定义具有离子注入面的离子注入层区；对待处理结构进行降温处理，自离子注入面进行离子注入，在离子注入的过程中，离子注入层区转换成恢复损伤结晶层区和晶格破坏非晶层区，降温处理减缓离子注入层区内部的自退火效应，减小恢复损伤结晶层区区域的大小；进行退火处理，晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区。本发明通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。

主权项

1.一种基于低温离子注入的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)提供一待处理结构，并于所述待处理结构中定义一离子注入层区，且所述离子注入层区具有一离子注入面；/n2)对所述待处理结构进行降温处理，并自所述离子注入面对所述离子注入层区进行离子注入，在进行所述离子注入的过程中，所述离子注入层区转换成基于自退火效应主导形成的恢复损伤结晶层区和基于注入离子破坏主导形成的晶格破坏非晶层区，其中，所述降温处理持续在所述离子注入过程中使得所述待处理结构在摄氏0度以下，以减缓所述离子注入过程中所述离子注入层区内部的所述自退火效应，以减小所述恢复损伤结晶层区的生成厚度；以及/n3)对步骤2)得到的结构进行退火处理，以使得所述晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，并且所述恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区。/n