[发明专利]半导体集成电路结构的研磨方法

摘要

本发明提供一种半导体集成电路结构的研磨方法，包括：提供待处理结构，其上表面轮廓定义突出部及遮掩部，突出部具有高于遮掩部的离子注入面，遮掩部具有初始上表面，离子注入面与初始上表面位于同一侧，突出部具有突起高度；自离子注入面进行离子注入，以破坏突出部的内部化学键结进而提高突出部的研磨速率；研磨突出部，使突出部形成为一研磨表面，不高于初始上表面。本发明可以通过离子注入的方式解决半导体结构研磨速率的问题，从而可以依据实际需求调节不同区域的研磨速率；可以解决将具有高度差的结构层刻蚀研磨至同一平面的过程中所造成的晶圆表面刮伤的问题；本发明还可以在同一晶圆的不同结构的研磨过程中，保证研磨后得到薄膜的均一性。

主权项

1.一种半导体集成电路结构的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括如下步骤：1)提供一待处理结构，并由所述待处理结构的上表面轮廓定义一突出部及一遮掩部，所述突出部具有一高于所述遮掩部的离子注入面，所述遮掩部具有一初始上表面，其中，所述离子注入面与所述初始上表面位于所述待处理结构的同一侧，且所述突出部还具有由所述初始上表面形成的水平面至所述离子注入面的突起高度；2)自所述离子注入面对所述突出部进行离子注入，以破坏所述突出部的内部化学键结进而提高所述突出部的研磨速率；以及3)自所述离子注入面研磨所述突出部，以使所述突出部形成为一研磨表面，所述研磨表面不高于由所述初始上表面形成的水平面。