[发明专利]飞行器智能蒙皮非均匀传感器阵列、其制备方法及包含其的采集系统

摘要

本发明属于传感器领域，并公开了飞行器智能蒙皮非均匀传感器阵列，包括次级阵列传感器组和主阵列传感器组，该非均匀传感器阵列是通过次级阵列传感器组替换M×N传感器组的任意一个主传感器单元形成，所述次级阵列传感器组由M′行、N′列的次级传感器单元形成；所述M×N传感器组由M行、N列的主传感器单元形成；所述主阵列传感器组由所述M×N传感器组去除被次级阵列传感器组替换的主传感器单元后，剩余的主传感器单元所形成。本发明优化了传感器的阵列布局，利用少量的传感器有效获取与更大规模均匀传感器阵列几乎等效的有效数据信息，同时避免无用测点的布置，容易实现更大面积的功能扩展，适合集成到飞行器蒙皮中。

主权项

1.飞行器智能蒙皮非均匀传感器阵列，其特征在于，包括次级阵列传感器组和主阵列传感器组，该非均匀传感器阵列是通过次级阵列传感器组替换M×N传感器组的任意一个主传感器单元形成，其中，/n所述次级阵列传感器组由M′行、N′列的次级传感器单元形成；/n所述M×N传感器组由M行、N列的主传感器单元形成；/n所述主阵列传感器组由所述M×N传感器组去除被次级阵列传感器组替换的主传感器单元后，剩余的主传感器单元所形成，即该主阵列传感器组具有M×N-1个主传感器单元；其中，M、N、M′、N′均为大于等于2的正整数；/n此外，所述主传感器单元按由下至上的顺序包括第一PI层、底层电极、PZT层、中间层共用电极、第二PI层、顶层电极和第三PI层，其中所述第三PI层作为封装层，所述底层电极、PZT层、中间层共用电极共同形成压电传感器，所述第一PI层与所述压电传感器共同构成下层主结构，所述中间层共用电极、第二PI层、顶层电极共同形成电容传感器，所述第三PI层与所述电容传感器共同构成上层结构；/n在所述主阵列传感器组中，除了主传感器单元被次级阵列传感器组所取代的那一行，其他每行的上层结构通过电极连接线串联在一起；而主传感器单元被次级阵列传感器组所取代的那一行，次级阵列传感器组左方的所有上层结构通过电极连接线串联在一起，次级阵列传感器组右方的所有上层结构也通过电极连接线串联在一起，并且次级阵列传感器组左方和右方的上层结构上分别设置电极引出线，以用于连接选通器；除了主传感器单元被次级阵列传感器组所取代的那一列，其他每列的下层结构通过电极连接线串联在一起；而主传感器单元被次级阵列传感器组所取代的那一列，次级阵列传感器组前方的下层结构通过电极连接线串联在一起，次级阵列传感器组后方的下层结构也通过电极连接线串联在一起，并且次级阵列传感器组前方和后方的下层结构上分别设置电极引出线，以用于连接选通器；/n所述次级传感器单元的结构与所述主传感器单元的结构相同，即次级传感器单元也具有下层主结构和上层结构；/n在所述次级阵列传感器组中，每行的上层结构通过电极连接线串联在一起，并且首列和尾列的每个上层结构上分别设置电极引出线，以用于连接选通器，每列的下层结构通过电极连接线串联在一起，并且首行和尾行的每个下层结构上分别设置电极引出线，以用于连接选通器。/n