[发明专利]一种轻质金属基点阵隔热-承载结构及其成形方法有效
申请号: | 201810510749.9 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108580903B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 陈颖;余圣甫;史玉升;吴甲民;张李超 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | B22F3/11 | 分类号: | B22F3/11;C25D11/02;B22F7/08 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种轻质金属基点阵隔热‑承载结构及其成形方法,其中该结构用于沉积在金属基底表面,是由金属基材料形成的空间点阵结构,该点阵结构包含有孔隙,在该空间点阵中还具有组分不同于金属基材料的陶瓷相,沿金属基底表面的法线方向这些陶瓷相的含量逐渐增加;并且,沿金属基底表面的法线方向呈现有孔隙尺寸的梯度分布;此外,在该点阵结构的表面上还沉积有类陶瓷层。本发明通过对该金属基点阵隔热‑承载结构的组成及内部微观结构等进行改进,并对相应制备方法的整体工艺流程设计,尤其是关键SLM工艺、PEO工艺所采用的参数条件等进行进一步优化,与现有技术相比能够一体化成形金属基点阵隔热‑承载结构。 | ||
搜索关键词: | 承载结构 隔热 金属基底表面 基点 金属基材料 点阵结构 法线方向 空间点阵 轻质金属 陶瓷相 成形 沉积 工艺流程设计 内部微观结构 金属 一体化成形 参数条件 类陶瓷层 梯度分布 逐渐增加 制备 优化 改进 | ||
【主权项】:
1.一种金属基点阵隔热‑承载结构,其特征在于,该结构用于沉积在金属基底表面,是由金属基材料形成的空间点阵结构,该点阵结构包含有孔隙,是中空的点阵结构,其体积分数在0.15‑0.3之间,该体积分数对应于该空间点阵结构的实际体积与考虑该空间点阵结构中的中空孔隙被空气填充后得到的结构整体所占体积两者之比;在该空间点阵中还具有组分不同于金属基材料的陶瓷相,这些陶瓷相分布在金属基材料中,这些内部具有陶瓷相的空间点阵是由陶瓷颗粒与金属粉末混合配制的金属‑陶瓷复合粉末前驱体引入的,所述陶瓷颗粒的熔点高于1000℃,沿所述金属基底表面的法线方向由靠近该金属基底的区域到远离该金属基底的区域这些陶瓷相的含量逐渐增加;并且,该金属基点阵隔热‑承载结构沿所述金属基底表面的法线方向呈现有孔隙尺寸的梯度分布,沿所述金属基底表面的法线方向由靠近该金属基底的区域到远离该金属基底的区域该点阵结构中的孔隙尺寸先逐渐增加然后逐渐减小;此外,在该点阵结构的表面上还沉积有类陶瓷层,所述类陶瓷的熔点高于800℃,该类陶瓷层的厚度在20‑100μm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810510749.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。