[发明专利]一种富含硫空位的Ni3

摘要

本发明公开了一种富含硫空位的Ni3S2纳米棒析氧电催化材料及其制备方法与应用，属于电解水催化领域。本发明的制备方法分三步：首先镍片的阳极氧化处理制备前驱体膜层；随后对前驱体膜层进行退火处理，得到富含氧空位的NiO膜层；最后再对退火后的膜层进行水热硫化处理，获得富含硫空位的Ni3S2纳米棒析氧电催化材料。由于硫空位的存在，降低了中间体在催化剂表面吸附或脱附所需克服的能垒，大大提高了析氧催化性能。富含硫空位的Ni3S2纳米棒原位生长在镍基体上，降低了催化剂与基体间的电阻，同时也提高了析氧催化稳定性。本发明方法操作简单，对制备设备要求低，对环境友好，制备方法具有可推广性，有助于进一步推动过渡金属硫化物催化剂的发展和应用。

主权项

1.一种富含硫空位的Ni3S2纳米棒析氧电催化材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用三电极体系对预处理后的镍片进行阳极氧化处理，在镍基体上形成NiF2膜层；将步骤（1）得到的样品进行退火处理，在镍基体上形成富含氧空位的NiO膜层；将步骤（2）得到的样品进行水热硫化处理，处理后再进行冲洗、吹干，得到富含硫空位的Ni3S2纳米棒析氧电催化材料。