[发明专利]中子捕获治疗系统在审
| 申请号： | 201810511650.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110523007A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡炅彣;陈韦霖 | 申请（专利权）人： | 中硼(厦门)医疗器械有限公司 |
| 主分类号： | A61N5/10 | 分类号： | A61N5/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361026 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种中子捕获治疗系统，所述中子捕获治疗系统包括用于产生带电粒子束的加速器、经带电粒子束照射后产生中子射束的中子产生部、对中子射束进行整形的射束整形体，所述射束整形体包括缓速体及包覆于缓速体外周的反射部，所述中子产生部经带电粒子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱，所述反射部包括能够将偏离的中子导回以提高预设能谱内中子强度的反射体以及能够对反射体形成支撑的支撑件。通过使用铅锑合金作为反射体以改善单纯使用铅材料作为反射体带来的蠕变效应，提高了射束整形体的结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 反射体 射束整形 带电粒子束照射 治疗系统 中子捕获 反射部 能谱 射束 预设 带电粒子束 铅锑合金 蠕变效应 铅材料 支撑件 加速器 整形 包覆 体外 偏离 减速 支撑 申请 | ||
【主权项】：
1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括射束入口、中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包覆于缓速体外周的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体的辐射屏蔽和射束出口，所述中子产生部与自所述射束入口入射的带电粒子发生核反应以产生中子，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子的强度，所述反射体由具有中子反射能力强的合金材料制成，所述合金材料含有锑元素，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。/n
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